ARM和GLOBALFOUNDRIES联手研发20nm移动芯片  

出　　处：《中国集成电路》2012年第9期5-5,共1页China lntegrated Circuit

摘　　要：ARM和GLOBALFOUNDRIES日前宣布，双方将联手研发20nm工艺节点和FinFET技术。ARM之前和台积电进行了紧密合作，在最近发布了若干使用台积电28nm工艺节点制作的硬宏处理器。但ARM日前又和GLOBALFOUNDRIES签订了合作协议，旨在为后者即将推出的、使用FinFET技术的20nm工艺节点开发SoC优化设计。

关 键 词：ARM 移动芯片 研发 FINFET 合作协议 优化设计 台积电 节点 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]