检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]内蒙古大学物理学系,内蒙古呼和浩特010021
出 处:《内蒙古大学学报(自然科学版)》2000年第4期364-369,共6页Journal of Inner Mongolia University:Natural Science Edition
基 金:内蒙古自治区人才工程资助项目
摘 要:采用准二维模型计及 Zn1-x Cdx Se/Zn Se半导体异质结界面附近的能带弯曲效应 ,讨论了异质结界面极化子的基态能量 ,有效质量随电子面密度以及 Cd组份的变化关系 .Considering the energy bandbending effect near the interface in a Zn 1-x Cd xSe/ZnSe heterojuction , we adopt a quasi 2D model to discuss the relation between the ground state energy , the effective mass of an interface polaron and the electron areal density , Cd composition .
关 键 词:异质结 硒化锌 界面极化子 半导体 锌镉硒化合物
分 类 号:TN304.2[电子电信—物理电子学] O471.3[理学—半导体物理]
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