宫箭

作品数:9被引量:16H指数:2
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供职机构:内蒙古大学更多>>
发文主题:共振隧穿ZNSEZN硒化锌异质结更多>>
发文领域:理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊:《发光学报》《物理学报》《大学物理》《内蒙古大学学报(自然科学版)》更多>>
所获基金:国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金青年科技基金内蒙古自治区人才开发基金更多>>
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两学分“统热”课程的探索与实践被引量:1
《大学物理》2019年第2期60-62,共3页崔鑫 班士良 宫箭 梁希侠 
教育部高等学校热力学与统计物理课程教学研究项目(JZW-16-RT-11)资助
本文介绍近年来内蒙古大学为应用物理、电子科学与技术专业开设2学分"统计热力学"(热力学与统计物理学)课程的教学方案设计及教学实践.该课程在32学时的授课中,可做到基本理论、方法及应用几个方面的统筹兼顾,且保证了热力学与统计物理...
关键词:统计热力学 2学分热力学与统计物理课程 系统性 
强激光场下非对称量子阱结构中子带间的跃迁
《光电子.激光》2010年第7期1102-1105,共4页那顺乌日图 宫箭 
国家自然科学基金资助项目(10847005);内蒙古自然科学基金资助项目(20080404MS0101)
选取Al0.3Ga0.7As/GaAs的非对称双量子阱结构,在有效质量近似条件下计入电子-电子相互作用所产生的Hartree势,采用转移矩阵方法研究了外加强激光场和电场作用下非对称双量子阱结构中子带间的跃迁和光吸收性质,并且详细讨论了外场对跃迁...
关键词:双量子阱 电场 激光场 光子跃迁 
Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体多层结构中的自旋极化隧穿被引量:2
《发光学报》2010年第4期515-520,共6页杨明 宫箭 李贺年 李硕 
国家自然科学基金(10847005,10704010);内蒙古自然科学基金(20080404MS0101);国家大学生创新性实验计划(081012612)资助项目
采用转移矩阵法和Airy函数,研究了ZnSe/ZnMnSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe异质结构的自旋极化输运。在外加偏压和磁场对电子透射系数和自旋极化率的影响方面,所得到的结论显现出复杂而有趣的特性。磁场对自旋向上和向下电子隧穿的影...
关键词:稀磁半导体 自旋极化 共振隧穿 
GaAs-Al_xGa_(1-x)As双势垒结构中电子共振隧穿寿命被引量:2
《Journal of Semiconductors》2005年第10期1929-1933,共5页宫箭 梁希侠 班士良 
国家自然科学基金(批准号:10164003);内蒙古大学青年科技基金(批准号:ND0206)资助项目~~
采用转移矩阵和数值计算相结合的方法求解含时Schrdinger方程,计算了电子在双势垒结构中的构建时间和隧穿寿命.结果表明:构建时间和隧穿寿命对于描述电子隧穿时间特性同等重要.通过研究隧穿时间对结构参数的依赖情况发现,隧穿寿命随阱...
关键词:双势垒 共振隧穿 寿命 
电子横向运动对共振隧穿的影响被引量:2
《发光学报》2001年第1期33-36,共4页宫箭 班士良 
国家自然科学基金;教育部高等学校骨干教师资助计划项目;教育部留学回国人员基金;内蒙古自治区"3 2 1"人才工程基金
讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象。对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明 ,在零偏压和非零偏压情况下 ,电子横向运动对共振隧穿的影响是不容忽略的。
关键词:共振隧穿 耦合效应 透射系数 电子横向运动 蓝光发射器 半导体 异质结构 GaAs/Ga1-xAlxAs 方形双势垒 抛物形双势垒 
Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结系统的施主能级被引量:5
《内蒙古大学学报(自然科学版)》2000年第5期482-486,共5页宫箭 班士良 
内蒙古自治区人才工程资助
对单异质结界面系统 ,引入三角近似异质结势 ,利用变分法讨论在界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量 .对 Zn1-x Cdx Se/Zn Se系统的杂质态结合能做了数值计算 ,给出结合能随杂质位置、电子面密度和
关键词:异质结 结合能 硒化锌 施主杂质 锌镉硒化合物 
Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结中的界面极化子
《内蒙古大学学报(自然科学版)》2000年第4期364-369,共6页宫箭 班士良 
内蒙古自治区人才工程资助项目
采用准二维模型计及 Zn1-x Cdx Se/Zn Se半导体异质结界面附近的能带弯曲效应 ,讨论了异质结界面极化子的基态能量 ,有效质量随电子面密度以及 Cd组份的变化关系 .
关键词:异质结 硒化锌 界面极化子 半导体 锌镉硒化合物 
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