非晶氧化钛薄膜的电学特性研究  

Electrical Properties of Amorphous Titanium Oxide Thin Films

作　　者：居勇峰[1] 陈彤[1] 吴志明[1] 蒋亚东[1] 

机构地区：[1]电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054

出　　处：《半导体光电》2012年第5期676-679,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金项目(60736005)

摘　　要：室温下,通过采用直流反应磁控溅射法在覆盖有氮化硅薄膜的单晶硅衬底上生长了厚度约为100nm的氧化钛薄膜。掠入射X射线衍射分析结果表明在室温下,不同氧分压下生长的氧化钛薄膜均具有非晶结构。分别采用场发射扫描电子显微镜、X射线光电子能谱对薄膜的表面和断面形貌以及薄膜的组分进行了分析和表征。对薄膜的电学特性测试发现非晶氧化钛薄膜在293～373K的温度范围内主要依靠热激发至扩展态中的电子导电。Titanium oxide thin films were fabricated on Si3N4/Si substrates by direct current reactive magnetron sputtering.The results of glancing incident X-ray diffraction show that all the deposited films are amorphous.The surface and cross-section morphology and compositon of the films were analyzed by field emission scanning electron microscopy and X-ray photoelectron spectra,respectively.The temperature dependence of the electrical conductivity illustrates a thermally activated conduction behavior in the temperature range of 293~373 K.

关 键 词：反应溅射 TCR 非晶氧化钛 FESEM 

分 类 号：O484.42[理学—固体物理]