液相沉积法制备的二氧化硅薄膜及其钝化性能  

SiO_2 Film Synthesized by Liquid Phase Deposition and Its Passivation Performance

作　　者：刘邦武[1] 钟思华[1] 何静[1] 夏洋[1] 李超波[1] 

机构地区：[1]f中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029

出　　处：《发光学报》2012年第11期1264-1267,共4页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：国家自然科学基金(61106060);中国科学院知识创新工程重大项目(Y2YF028001);国家高技术研究发展计划(2012AA052401)资助项目

摘　　要：采用液相沉积法在硅基底上成功制备了二氧化硅薄膜,利用扫描电子显微镜、光电子能谱和少子寿命测试仪等对二氧化硅薄膜的组织结构和钝化性能进行了研究,结果表明,液相生长的二氧化硅薄膜致密平整,含有少量的F元素;对硅具有较好的减反和钝化作用,平均反射率由28.87%降低至10.88%,表面复合速度由6 923 cm/s降低至2 830 cm/s。The SiO2 film has been successfully synthesized by liquid phase deposition（LPD） method.The microstructure and passivation performance of the SiO2 film have been investigated by scanning electron microscopy（SEM）,X-ray photoelectron spectroscopy（XPS） and microwave photoconductive decay（μ-PCD）.The results show that the deposited SiO2 film contains a little amount of F element and it is very smooth and dense.The reflectance and surface recombination velocity reduced to 10.88% and 2 830 cm/s,respectively.

关 键 词：液相沉积 二氧化硅薄膜 钝化 

分 类 号：O76[理学—晶体学]