半导体InP中次内层分子轨道能级的计算  

Calculation on Molecular Orbit at Sub-internal Shell in InP

作　　者：杨志安[1] 靳涛[2] 

机构地区：[1]新疆大学物理系,新疆乌鲁木齐830046 [2]中国科学院新疆物理所,新疆乌鲁木齐830011

出　　处：《新疆大学学报（自然科学版）》2000年第2期27-33,共7页Journal of Xinjiang University(Natural Science Edition)

基　　金：国家自然科学基金;新疆大学博士基金资助课题

摘　　要：利用量子力学方法 ,计算了半导体 In P中次内层分子轨道的能级 ;对不具中心对称的 In P半导体 ,建立了非对称的椭球坐标系 ;计算出的 In P中次内层分子轨道能级与实验结果相符合 .A molecular orbit at sub internal shell in InP is calculated by quantum mechanics;Since InP is non central symmetrical about centre point,we establish a non symmetrical ellipsoidal coordianted to calculate the molecular orbit in InP;The calculated result is tally with experiment result.This method could be popularized to calculate energy level od other semiconductor.

关 键 词：表面态 能级 半导体 磷化铟 次内分层分子轨道 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] O471[理学—半导体物理]