基于栅绝缘层表面修饰的有机场效应晶体管迁移率的研究进展  

Progress of the improved mobilities of organic field-effect transistors based on dielectric surface modification

作　　者：石巍巍[1,2] 李雯[1] 仪明东[1] 解令海[1] 韦玮[1] 黄维[1] 

机构地区：[1]南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院,有机电子与信息显示国家重点实验室培育基地,南京210046 [2]南京邮电大学信息材料与光电工程学院,南京210046

出　　处：《物理学报》2012年第22期570-581,共12页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2009CB930600;2012CB933301;2012CB723402);国家自然科学基金(批准号:61077070;21144004;60977023);教育部博士点基金(批准号:20113223120003);江苏省自然科学基金(批准号:BK2011761;SBK201122680);江苏省高校自然科学基础研究面上项目(批准号:11KJB510017);南京邮电大学人才科研启动基金(批准号:NY211022;NY210002;NY210030);江苏省高校优秀科技创新团队(批准号:TJ209035)~~

摘　　要：栅绝缘层的表面性质对有机场效应晶体管(OFETs)的半导体薄膜的形貌、晶粒生长的有序性和载流子的传输有着重大的影响.研究表明,通过改进栅绝缘层的表面性质,可以有效提高有机场效应晶体管的迁移率.本文综述了OFETs绝缘层表面的粗糙度和表面能对OFETs迁移率的影响,重点探讨了栅绝缘层表面修饰常用的方法,即自组装单层(SAMs)修饰和聚合物修饰与迁移率改进之间的研究进展.最后,展望了该研究方向未来可能的发展趋势.The surface property of the dielectric has a significant influence on growth, morphology, order of the organic semiconductor, and charge carrier transport. The relevant research shows that the mobility of organic field-effect transistor could be effectively improved via ameliorating the surface property of the dielectric. The purpose of this review is to introduce the main factors, including the roughness and the surface energy of dielectric, which exert a tremendous influence on the field effect mobility of OFET, and chiefly describe the progress of the two common methods used for the dielectric modification, viz., the self-assembled monolayer modification and the polymer modification. Finally, the novel applications at present are summarized in this review and some perspectives on the research trend are proposed.

关 键 词：有机场效应晶体管 场效应迁移率 栅绝缘层 表面修饰 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]