分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究  

Studies on the composition of InGaN/AlN quantum dots grown by molecular beam epitaxy

作　　者：胡懿彬 郝智彪[1] 胡健楠[1] 钮浪[1] 汪莱[1] 罗毅[1] 

机构地区：[1]清华信息科学与技术国家实验室(筹),清华大学电子工程系,北京100084

出　　处：《物理学报》2012年第23期479-483,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61176015;61176059;60723002;60977022;51002085);国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB301902;2011CB301903);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A112;2011AA03A106;2011AA03A105)资助的课题~~

摘　　要：报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN/AlN量子点材料,并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫,以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响,提出了一种结合反射式高能电子衍射原位测量与光致荧光测量确定InGaN量子点组分的方法.In this article we report on the green-light wavelength InGaN/A1N quantum dots （QDs） grown by molecular beam epitaxy, and propose a method to determine the composition of the InGaN QDs by combining reflection high-energy electron diffraction in-situ measurement and photoluminescence measurement, in which the strain relaxation and the influences of strain and quantum-confined Stark effect on the exciton energy are taken into consideration.

关 键 词：INGAN 量子点 反射式高能电子衍射 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]