聚合物栅绝缘层厚度对并五苯有机场效应管性能的影响  

Effect of thickness of poly(methyl methacrylate) gate dielectric on the performance of pentacene-based organic field-effect transistors

作　　者：杜博群[1] 吴仁磊[2] 赵庚[1] 郑宏[2] 田海军[2] 梁晓宇[2] 吴峰[1] 程晓曼[1,2] 

机构地区：[1]天津理工大学理学院,天津300384 [2]天津理工大学材料物理研究所教育部显示材料与光电器件重点实验室,天津300384

出　　处：《光电子．激光》2012年第12期2255-2260,共6页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家自然科学基金(61076065);天津市自然科学基金(07JCYBJC12700)资助项目

摘　　要：采用不同厚度的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为栅绝缘层,制备了并五苯有机场效应晶体管(OFET)。测量了不同厚度的PMMA的介电特性,并详细分析了栅绝缘层厚度对器件性能的影响。其中,采用260nm厚的PMMA栅绝缘层的OFET具有比采用其它厚度的器件更优越的性能,其场效应迁移率、阈值电压与开关电流比分别达到3.39×10-3 cm2/Vs、-19V和103。Pentacene-based organic field effect transistors （OFETs） using various thicknesses of poly （methyl methacrylate） （PMMA） as gate dielectric have been fabricated. The dielectric properties of PM- MA layer are investigated and the effects of the insulator thickness on the performance of the devices are analyzed in detail. The OFET devices based on 260 nm-thick PMMA gate dielectric exhibit preferable performance and possess a field-effect mobility of 3.39 × 10^-3 cm^2 /Vs, a threshold voltage of -19 V, and an on/off current ratio of 103.

关 键 词：有机场效应晶体管(OFET) 场效应迁移率 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 栅绝缘层厚度 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]