云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 程晓曼

程晓曼: 作品数：38被引量：74H指数：5; 导出分析报告; 供职机构：天津理工大学更多>>; 发文主题：有机场效应晶体管比吸收率深部热疗C60更多>>; 发文领域：电子电信医药卫生理学电气工程更多>>; 发文期刊：《科学通报》《Chinese Journal of Chemical Physics》《光电子．激光》《大学教育》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金天津市教委科研基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>

基于有限元方法的有机场效应晶体管特性模拟与实验验证: 《发光学报》2016年第10期1245-1252,共8页王倩吴仁磊吴峰程晓曼; 国家自然科学基金(61076065;11204214)资助项目; 采用有限元方法,借助多物理场软件COMSOL模拟了底栅顶接触结构有机场效应晶体管电位和载流子浓度随源漏电压Vds的变化。模拟结果表明,当固定栅压V_g=-10 V时,改变V_(ds)从0^-10 V,对于电位分布,从栅极到源漏电极竖直方向有渐进的变化,...; 关键词：有机场效应晶体管有限元方法电位载流子

旋涂速度对制备P3HT有机场效应晶体管性能的影响(英文): 《发光学报》2015年第8期941-946,共6页蒋晶郑灵程王倩吴峰程晓曼; 国家自然科学基金(61076065,11204214)资助项目; 采用溶液化的方法制备了以PMMA为绝缘层、P3HT为有源层的有机场效应晶体管。研究了P3HT有源层和PMMA绝缘层的旋涂速度对器件性能的影响。实验结果表明,当P3HT和PMMA的旋涂速度均为2 000 r/min时,器件的性能最佳。峰值场效应迁移率为6.84...; 关键词：有机场效应晶体管旋涂速度 P3HT PMMA

衬底加热和电极修饰对提高有机场效应晶体管性能的影响: 《发光学报》2015年第5期521-525,共5页郑灵程蒋晶王倩吴峰程晓曼; 国家自然科学基金(61076065)资助项目; 通过衬底加热和氧化钼(Mo O3)修饰源漏极制备了并五苯有机场效应晶体管。研究了衬底温度和电极修饰层厚度对器件性能的影响。实验结果表明:当衬底温度为60℃、Mo O3修饰层为10 nm时,器件性能获得了显著增强,场效应迁移率由原来的3.39×1...; 关键词：有机场效应晶体管衬底加热电极修饰载流子注入传输

基于蛋清栅绝缘层的高性能C_(60)有机场效应晶体管(英文): 《发光学报》2014年第9期1104-1108,共5页杜博群程晓曼梁晓宇樊剑锋白潇; 国家自然科学基金(61076065)资助项目; 采用生物材料(蛋清)作为栅绝缘层制备了基于C60为有源层的有机场效应晶体管。器件展现出了合理的电学特性,场效应迁移率和阈值电压分别为2.59 cm2·V-1·s-1和1.25 V。有机场效应晶体管展现良好性能的原因是蛋清具有较高的介电常数及热...; 关键词：有机场效应晶体管栅绝缘层生物材料蛋清 C60

PVA栅绝缘层浓度对P3HT有机场效应晶体管性能的影响(英文)被引量：1: 《发光学报》2014年第4期470-475,共6页白潇程晓曼樊剑锋蒋晶郑灵程吴峰; 国家自然科学基金(61076065,11204214)资助项目; 采用溶液制备法制备了用PVA作为绝缘层、P3HT作为有源层的有机场效应晶体管,研究了不同浓度PVA栅绝缘层对器件性能的影响。实验结果显示,以质量分数为8%的PVA溶液制备的栅绝缘层具有最好的性能,器件的场效应迁移率为0.31 cm2·V-1·s-1...; 关键词：有机场效应晶体管栅绝缘层浓度 PVA P3HT

国外高校产学研合作教育模式及对我国的启示被引量：7: 《大学教育》2013年第6期52-53,共2页程晓曼; 天津理工大学教改项目资助(项目编号:YB09-09); 产学研合作教育是世界高等教育共同关注的热点问题。文章介绍了美国、德国和日本的产学研合作教育模式,提出了当前我国产学研合作教育的发展应借鉴的有益经验和几点建议。; 关键词：产学研合作教育模式启示

聚合物栅绝缘层厚度对并五苯有机场效应管性能的影响被引量：1: 《光电子．激光》2012年第12期2255-2260,共6页杜博群吴仁磊赵庚郑宏田海军梁晓宇吴峰程晓曼; 国家自然科学基金(61076065);天津市自然科学基金(07JCYBJC12700)资助项目; 采用不同厚度的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为栅绝缘层,制备了并五苯有机场效应晶体管(OFET)。测量了不同厚度的PMMA的介电特性,并详细分析了栅绝缘层厚度对器件性能的影响。其中,采用260nm厚的PMMA栅绝缘层的OFET具有比采用其它厚度的器...; 关键词：有机场效应晶体管(OFET) 场效应迁移率聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 栅绝缘层厚度

V2O5电极修饰对C60/Pentacene双层异质结场效应晶体管性能的影响: 《物理学报》2012年第21期498-503,共6页赵赓程晓曼田海军杜博群梁晓宇吴峰; 国家自然科学基金(批准号:61076065);天津市自然科学基金项目(批准号:07JCYBJC12700)资助的课题~~; 制备了用过渡金属氧化物V_2O_5修饰Al源、漏电极的C_(60)/Pentacene双层异质结有机场效应管.该构型器件与未修饰器件相比,呈现出典型的双极型晶体管传输特性.电子迁移率和空穴迁移率分别达到8.6×10^(-2)cm^2/V·s^(-1)和6.4×10^(-2)cm...; 关键词：有机场效应晶体管双极型异质结过渡金属氧化物

无定型SiO_2对纳米ZnO缺陷发光的辅助增强效应研究被引量：3: 《光电子．激光》2012年第8期1509-1512,共4页牛喜平徐建萍张晓松程晓曼罗程远李开祥李岚; 国家自然科学基金(60877029;60977035;60907021;10904109);天津市自然科学基金(11JCYBJC00300;09JCYBJC01400);天津市高等学校科技发展基金计划(20071207);科技创新体系及条件平台建设计划项目"发光材料的制备与性能"(10SYSYJC28100);发光与光信息技术教育部重点实验室开放基金(2010LOI0;2010LOI11)资助项目; 利用正硅酸乙酯水解后的无定型SiO2网络结构,合成了不同尺度的纳米ZnO。X射线衍射(XRD)谱显示,当正硅酸乙酯的量从0ml增加到5ml,ZnO的粒径从14.6nm减小到1.9nm;光致发光(PL)光谱显示,发射峰位从560nm蓝移到510nm,发射强度明显增强。利...; 关键词：纳米ZNO 无定型SiO2 发光增强

C60场效应晶体管的制备及修饰层对器件性能影响的研究被引量：4: 《光电子．激光》2011年第10期1467-1470,共4页郑宏程晓曼闫齐齐田海军赵赓印寿根; 国家自然科学基金资助项目(61076065);天津自然科学基金资助项目(07JCYBJC12700); 以重掺杂Si片作为衬底,SiO2/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为双栅绝缘层,C60为有源层,制备了不同修饰层的有机场效应晶体管(OFETs);研究了不同修饰层的器件对于场效应性能的影响。实验表明,与未加修饰层的器件相比,经过修饰的器件性能有一定...; 关键词：有机场效应晶体管(OFETs) 双修饰层场效应迁移率

程晓曼