赵赓

作品数：2被引量：4H指数：1
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供职机构：天津理工大学理学院更多>>
发文主题：有机场效应晶体管C60修饰电极修饰场效应迁移率更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《光电子．激光》《物理学报》更多>>
所获基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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V2O5电极修饰对C60/Pentacene双层异质结场效应晶体管性能的影响
《物理学报》2012年第21期498-503,共6页赵赓 程晓曼 田海军 杜博群 梁晓宇 吴峰 
国家自然科学基金(批准号:61076065);天津市自然科学基金项目(批准号:07JCYBJC12700)资助的课题~~
制备了用过渡金属氧化物V_2O_5修饰Al源、漏电极的C_(60)/Pentacene双层异质结有机场效应管.该构型器件与未修饰器件相比,呈现出典型的双极型晶体管传输特性.电子迁移率和空穴迁移率分别达到8.6×10^(-2)cm^2/V·s^(-1)和6.4×10^(-2)cm...
关键词：有机场效应晶体管 双极型 异质结 过渡金属氧化物 
C60场效应晶体管的制备及修饰层对器件性能影响的研究被引量：4
《光电子．激光》2011年第10期1467-1470,共4页郑宏 程晓曼 闫齐齐 田海军 赵赓 印寿根 
国家自然科学基金资助项目(61076065);天津自然科学基金资助项目(07JCYBJC12700)
以重掺杂Si片作为衬底,SiO2/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为双栅绝缘层,C60为有源层,制备了不同修饰层的有机场效应晶体管(OFETs);研究了不同修饰层的器件对于场效应性能的影响。实验表明,与未加修饰层的器件相比,经过修饰的器件性能有一定...
关键词：有机场效应晶体管(OFETs) 双修饰层 场效应迁移率 
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