GaN MOSFET的设计制作及其表征  

Design Fabrication and Characterization of GaN MOSFET

作　　者：王青鹏[1,2] 江滢[1,2] 敖金平[2] 王德君[1] 

机构地区：[1]大连理工大学,电子科学与技术学院,辽宁大连116024 [2]德岛大学,先端技术科学教育部,日本德岛770-8502

出　　处：《电力电子技术》2012年第12期81-83,共3页Power Electronics

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金资助(DUT11ZD114)~~

摘　　要：探讨了GaN MOSFET的几种实现方法及其原理,采用标准的光刻剥离工艺,成功设计并制作出了3种不同结构的GaN MOSFET,最后对其沟道迁移率及界面态密度等进行了表征,并对实验结果中出现的一些现象进行了分析。实验结果表明,采用掺杂A1GaN异质结结构的GaN MOSFET,其沟道迁移率达到151.1 cm^2·V^(-1)·s^(-1),界面态密度达1.31×10^(11)个/(cm^2·eV),是一种较理想的GaN MOSFET结构。This paper discusses three kinds of methods to realize the GaN MOSFETs.Utilizing the standard lift-off process,GaN MOSFETs are fabricated successfully.Then they are characterized by the field-effect mobility and inter- face state density.Some phenomena in the experiment are also analyzed.The results show that the mobility and inter- face state density of the MOSFET formed on the doped AlGaN/GaN heterostructure reach about 151.1 cm2·V-1·s-1 and 1.31×1011cm-2·eV-1 ,which imphes that this structure is good for GaN MOSFET.

关 键 词：金属氧化层半导体场效应晶体管 结构 表征 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]