江滢

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供职机构：大连理工大学更多>>
发文主题：GAN场效应晶体管氮化镓等离子体MOSFET更多>>
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GaN MOSFET的设计制作及其表征
《电力电子技术》2012年第12期81-83,共3页王青鹏 江滢 敖金平 王德君 
中央高校基本科研业务费专项资金资助(DUT11ZD114)~~
探讨了GaN MOSFET的几种实现方法及其原理,采用标准的光刻剥离工艺,成功设计并制作出了3种不同结构的GaN MOSFET,最后对其沟道迁移率及界面态密度等进行了表征,并对实验结果中出现的一些现象进行了分析。实验结果表明,采用掺杂A1GaN异...
关键词：金属氧化层半导体场效应晶体管 结构 表征 
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