封装热效应及粘结层对微芯片应力和应变的影响  

作　　者：连兴峰[1] 苏继龙[1] 

机构地区：[1]福建农林大学机电工程学院,福建福州350002

出　　处：《机电技术》2012年第6期33-36,共4页Mechanical & Electrical Technology

基　　金：福建省自然科学基金(2008J0141;2009J01331)

摘　　要：针对不同的基板和粘结层,运用COMSOL Multiphysics软件分析了由封装引起的热失配对MEMS芯片的内部应力和应变的影响及其影响规律。分析不同基板对SiC芯片的应力和应变的影响,通过有限元计算分析得知,当基板的热膨胀系数跟芯片的热膨胀系数越接近,封装对芯片导致的应力应变和位移的影响越小。研究表明:粘结层的厚度对SiC芯片的应力等参数同样存在一定的影响,当粘结层的厚度增加时能够降低SiC芯片由封装引起的热应力,同时也会降低SiC芯片的第一主应变。基板厚度增加会增加SiC芯片由封装引起的热应力,温度场由高到低会增加SiC芯片由封装引起的热应力。

关 键 词：芯片 封装效应 应力 微机电系统 

分 类 号：TH703.8[机械工程—仪器科学与技术]