EB-PVD制备硅基SiC薄膜及其性能研究  

Preparation and properties of SiC film deposited by EB-PVD

作　　者：潘训刚[1] 何晓雄[1] 胡冰冰[1] 马志敏[1] 

机构地区：[1]合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥230009

出　　处：《合肥工业大学学报（自然科学版）》2012年第12期1665-1668,共4页Journal of Hefei University of Technology：Natural Science

基　　金：安徽省自然科学基金资助项目(11040606M63);安徽省高校省级自然科学研究重点资助项目(KJ2009A091;KJ2012A228)

摘　　要：文章采用电子束蒸发物理气相沉积(EB-PVD)技术在单晶Si片上制备SiC薄膜,通过台阶仪(surfaceprofiler)、原子力显微镜(AFM)、半导体综合测试仪、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌、电学性能及其结构进行分析。结果表明:SiC薄膜越厚,表面平均粗糙度越低;退火温度越高,薄膜结晶质量越好;对SiC薄膜进行辐照的光频率越高,光电流越大。SiC film was deposited by electron beam-physical vapor deposition（EB-PVD） technology on the Si substrates. The surface morphology, photoelectric properties and structures of the film were analyzed by surface profiler, atomic force microscopy（AFM）, current-voltage tester, X-ray diffraction （XRD） and scanning electron microscope（SEM）. The results show that the thicker the SiC film, the lower the surface roughness; the crystalline quality of SiC film can be improved with higher annealing temperature; the greater the incident optical frequency, the higher the current.

关 键 词：SIC薄膜 电子束蒸发物理气相沉积 原子力显微镜 扫描电子显微镜 X射线衍射 

分 类 号：TN305.8[电子电信—物理电子学]