用于薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备与性能研究  

Study on Preparation and Properties of a-SiGe∶H Film for Solar Cells

作　　者：程碧胜[1] 雷青松[1,2] 徐静平[1] 薛俊明 

机构地区：[1]华中科技大学光学与电子信息学院,武汉430074 [2]河北汉盛光电科技有限公司,衡水053000

出　　处：《人工晶体学报》2012年第6期1514-1518,共5页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺(RF-PECVD)制备非晶硅锗薄膜,研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响。通过二者的优化制备出光学带隙1.5 eV、光敏性6×104的高质量非晶硅锗薄膜。在此基础上制备出效率为6.65%的非晶硅锗(a-SiGe∶H)单结太阳能电池。Effects of hydrogen dilution and temperature on the properties of a-SiGe∶ H alloys deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition have been studied.Under the optimum conditions high quality a-SiGe∶ H film with optical bandgap of 1.5 eV and photosensitivity of 6×104 is obtained.With this material a 6.65% conversion efficiency a-SiGe∶ H solar cells is achieved.

关 键 词：非晶硅锗 氢稀释率 衬底温度 太阳能电池 

分 类 号：TK514[动力工程及工程热物理—热能工程]