Ge_xSi_(1-x)合金在Si衬底上二维生长的临界厚度  

作　　者：樊永良[1] 周国良 盛篪 俞鸣人 

机构地区：[1]复旦大学,上海200433

出　　处：《半导体情报》1991年第6期32-35,共4页Semiconductor Information

摘　　要：用分子束外延方法在Si衬底上生长Ge_xSi_(1-x)合金不仅需要赝晶生长,而且还必须是层状生长。要在Si衬底上生长高质量的Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格,Ge_xSi_(1-x)合金层必须控制在二维生长的临界厚度之内,并选择较低的生长温度。

关 键 词：分子束外延 GESI 二元合金 厚度 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]