长波长低暗电流高速In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器  

Long-Wavelength Low Dark Current High Speed In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM Photodetectors

作　　者：史常忻[1] K.Heime 

机构地区：[1]上海交通大学微电子技术研究所 [2]亚琛工业大学半导体电子学研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1991年第12期767-770,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：中国国家自然科学基金会和德国德意志研究联合会的联合资助

摘　　要：本文首次介绍了用低温MOVPE技术,研制成功具有非掺杂InP 肖特基势垒增强层的InCaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD).其暗电流在 1.5伏下小于 60 nA(100 ×100)微米~2;响应时间t_r小于30 ps(6伏).其灵敏度在6 V下为0.42 A/W.A long-wavelength,low dark current,high-speed In_(0.53)Ga_(0.47)As Metal-Semiconductor-MetalPhotodetector (MSM-P) with undoped InP Schottky barrier-enhancement layer, grown by LP-MOVPE is reported.The 60 nA of dark current (100×100)μm^2 at 1.5V, 30ps of rise time and0.42A/W of responsivity at 6V are obtained.

关 键 词：INGAAS MSM 光电探测器 暗电流 

分 类 号：TN382[电子电信—物理电子学]