深亚微米光学光刻工艺技术  

Deep-Sub-Micron Optical Lithography Process Technology

作　　者：谢常青[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心三室,北京100010

出　　处：《电子工业专用设备》2000年第3期8-12,共5页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：光学光刻的生命力仍然在不断延续 ,即使在 0 13 μm及 0 13 μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然是一个非常重要的候选者。深亚微米光学光刻工艺技术目前面临着越来越严重的挑战。对深亚微米光学光刻中的一些关键工艺技术如移相光刻、光学邻近效应校正、远紫外光刻胶、套刻对准误差等进行了论述。The vitality of optical lithography is still continuing.Even for 0 13μm Integrated Circuits(IC) and below,optical lithography is still a very important candidate.Deep?sub?micron optical lithography process is facing more and more serious challenge.In this paper,some important deep?sub?micron optical lithography processes such as phase?shifting mask、optical proximity correction、deep?UV resist、alignment errors are discussed.

关 键 词：移相掩模 光学邻近效应 远紫外光刻胶 对准 

分 类 号：TN405.7[电子电信—微电子学与固体电子学]