由浅离子注入实现的MQW混合  

MQW Intermixing by Shallow Ion Implantation

作　　者：朱洪亮[1] 韩德俊[2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083 [2]北京师范大学低能核物理所,北京100875

出　　处：《光电子．激光》2000年第3期255-257,共3页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金："八六三"计划资助项目![863 -3 0 7-11-1( 15 ) ]

摘　　要：用浅 P+ 离子注入 In Ga As/ In Ga As P应变多量子阱 (MQW)激光器结构 ,经 H2 / N2 混合气氛下的快速退火 ,体内 MQW层发生组份混合 (intermixing) ,导致器件的带隙波长蓝移 (blue shift) ,结构的光荧光 (PL )峰值波长向短波方向移动了 76 nm。作者认为 。It has been obtained that a waveleng th blue-shift of 76 nm using shallow P + ion implanting into a epitaxy-finishe d laser-structure of InGaAs/InGaAsP SL-MQW and annealing at H 2/N 2 mix ing gas,and found that the strain in the active region of InGaAs/InGaAsP SL-MQW can lead QW intermixing more effectively.

关 键 词：量子阱混合 蓝移 离子注入 激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学] TN365