硅传感器反应离子刻蚀的观察  

作　　者：唐圣明[1] 陈思琴[2] 熊幸果[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [2]中国科学院上海冶金研究所传感技术国家重点实验室,上海200050

出　　处：《电子显微学报》2000年第4期583-584,共2页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关 键 词：硅传感器 反应离子刻蚀 微电子技术 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]