第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(十) PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究  

作　　者：龚洪勇[1] 周浪[1] 黄海宾[1] 向昱任[1] 汪已琳[1] 张东华[1] 高江[1] 崔冶青[1] 

机构地区：[1]南昌大学太阳能光伏学院&材料科学与工程学院

出　　处：《太阳能》2013年第1期32-34,共3页Solar Energy

摘　　要：研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响。通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S<9.4cm/s的优良钝化效果;若硅片τbulk为2ms,则S<5.6cm/s。

关 键 词：氢化非晶硅 PECVD 钝化 太阳能级n型硅片 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动] TN304[电子电信—物理电子学]