组织记忆对在位企业破坏性创新的影响机制研究  

作　　者：史丽萍[1] 唐书林[1] 苑婧婷[1] 

机构地区：[1]哈尔滨工程大学经济管理学院,黑龙江哈尔滨150001

出　　处：《科技进步与对策》2013年第5期85-89,共5页Science & Technology Progress and Policy

基　　金：国家自然科学基金资助项目(71271063);国防科技工业技术基础科研计划项目(GZ2011010);黑龙江省自然科学基金项目(G201121)

摘　　要：大量实践表明,在位企业会出现破坏性创新和维持性创新共存的现象。以"突触"为原型建立了在位企业的破坏性创新双通道突触模型,该模型较好地描述了在位企业两种创新之间的竞争机制。以双通道突触模型为基础,分析了组织长时记忆和组织交互记忆的运行过程,构建了在位企业的组织记忆模型,并指出组织记忆对在位企业破坏性创新的影响,最后提出了在位企业克服组织记忆的措施,以增加破坏性创新的成功几率。

关 键 词：破坏性创新 在位企业 组织记忆 长时记忆 交互记忆 

分 类 号：F273.1[经济管理—企业管理]