镶嵌钨的化学机械抛光的研究  

The CMP Study of Inlaid Tungsten

作　　者：刘玉岭[1] 杨鸿波[1] 檀柏梅[1] 梁存龙[2] 

机构地区：[1]河北工业大学天津,300130 [2]河北冀雅电子有限公司,050071

出　　处：《半导体杂志》2000年第4期40-45,50,共7页

基　　金：国家自然科学重大基金资助项目!( 698762 60 )

摘　　要：研究的是ULSI镶嵌钨CMP的选择性 ,化学与机械作用匹配 ,浆料的悬浮及存放和后清洗等问题。The selectivity, the chemical and mechanical function's matching, the storage of the slurry and post CMP cleaning ULSI inlaid tungsten CMP have been studied in this article.

关 键 词：ULSI 化学机械抛光 钨 集成电路 

分 类 号：TN470.52[电子电信—微电子学与固体电子学]