金属等离子体浸没离子注入技术合成NbN膜  

SYNTHESIS OF NbN THIN FILM USING METAL PLASMA ION IMMERSION IMPLANTATION AND DEPOSITION

作　　者：宋教花[1] 张涛[1] 侯君达[1] 邓志威[1] 

机构地区：[1]北京师范大学低能核物理研究所,北京100875

出　　处：《北京师范大学学报（自然科学版）》2000年第5期623-625,共3页Journal of Beijing Normal University(Natural Science)

基　　金：国家"八六三"计划资助项目

摘　　要：利用无大颗粒的金属等离子体浸没增强沉积技术 ,在Si基体上进行动态离子束增强沉积NbN ,在低温下制成了NbN薄膜 .薄膜表面细密光滑 ,退火前其硬度 >16 .8MN·mm- 2 ,退火后硬度 >16 .0MN·mm- 2 .NbN thin films on Si substrate are obtained at room temperature using macro particle free dynamic deposition assisted by metal and gas plasma immersion ion implantation. The surface of the thin films is in high smoothness. The hardness values of the unannealed and the annealed films are higher than 16.8 MN·mm -2 and 16.0 MN·mm -2 , respectively.

关 键 词：氮化铝 金属等离子体 离子注入 表面处理 

分 类 号：TG174.444[金属学及工艺—金属表面处理]