后退火处理对电容式MEMS微加速度计的影响  

Effect of the Post Annealing Treatment on the Capacitive MEMS Micro-Accelerometer

作　　者：唐彬[1] 陈颖慧[1] 彭勃[1] 袁明权[1] 李枚[1] 周浩[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621900

出　　处：《微纳电子技术》2013年第3期167-171,共5页Micronanoelectronic Technology

基　　金：中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室课题(2012CJMZZ00003;2012CJMZZ00006)

摘　　要：针对电容式MEMS微加速度计出现的输出值漂移问题,研究了后退火处理对封装好的电容式微加速度计的影响,选取的退火温度为110℃,退火时间为192 h。对退火后微加速度计的上电时刻零位值和上电1 h内1 g状态下的输出值进行了测量。通过对测试结果进行分析得到:退火实验可以筛选出随贮存时间零位漂移较小的样品;微加速度计输出值零位漂移的主要原因可能是芯片受F元素的影响;微加速度计输出值上电漂移的主要原因可能是芯片受O元素的影响。In order to solve the output value excursion problems of the capacitive MEMS micro-accelerometer,the effect of the post annealing treatment on the encapsulated capacitive micro-accelerometer was studied.The annealing temperature is 110 ℃,and the annealing time is 192 h.The zero-g values of the micro-accelerometer on circuit and output values on circuit in 1 h under 1 g gravity were tested.The analysis of the test results shows that the annealing experiment can filtrate the samples of low zero-g excursion with the storage time;the exist of F is the main reason that causes the zero-g excursion of the accelerometer with the time;the exist of O is the main reason that leads to the excursion of the accelerometer on circuit.

关 键 词：微电子机械系统(MEMS) 微加速度计 电容式 退火 漂移 

分 类 号：TH824.4[机械工程—仪器科学与技术] TH703[机械工程—精密仪器及机械]