等离子体浸没N+注入豌豆种子的生长发育效应初报  

THE CROWTH EFFECT BY N^+ USING A PLASMA IMERSION ION IMPLANTER OF PEA SEED IMPLANTED

作　　者：杜兰芳[1] 郁达[1] 卢祥云[1] 吴美萍[2] 潘重光[3] 

机构地区：[1]江苏省常熟高等专科学校,常熟215500 [2]中国纺织大学基础部,上海200051 [3]上海农学院植物科学系,上海201101

出　　处：《木本植物研究》2000年第4期427-432,共6页

基　　金：中国科学院冶金所离子束开放研究实验室资助课题!( 2 310 )

摘　　要：就等离子体浸没离子注入豌豆休眠种子后 ,对其生长发育的遗传学效应进行了研究。结果表明 ,经处理后的种子的萌发率明显下降 ,出苗、生长发育均呈滞后现象 ,且降低了株高。 2 0min为半致死剂量。提出等离子体浸设离子注入可以作为诱变育种的一种经济、有效的诱变方法。The genetic effect on plant growth by plasma immersion ion implanter after implantation on pea seed was studied. The results showed the seed treated was not only the germination percentage decline but also the plant growth retardation,and the stem of a plant was low. The semilethal dosage was 20 minutes. Being an economical and available method plasma immersion ion implantation in mutagenic breeding was proposed.

关 键 词：等离子体浸没离子注入 豌豆 生长发育 氮离子 

分 类 号：S643.303.6[农业科学—蔬菜学] S335.29[农业科学—园艺学]