氧气流量对Mg_x Zn_(1-x)O薄膜择优取向的影响  

Influence of Oxygen Flow on the Preferred Orientation of Mg_xZn_(1-x)O Film

作　　者：邵玉坤[1] 韩舜[1] 吕有明[1] 曹培江[1] 柳文军[1] 曾玉祥[1] 贾芳[1] 朱德亮[1] 马晓翠[1] 

机构地区：[1]深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室,深圳518060

出　　处：《人工晶体学报》2013年第3期437-440,共4页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金(60976036);深圳市科技计划项目;深圳大学基础研究科研项目(201201);深圳市特种功能材料重点实验室开放基金(T201205)

摘　　要：利用脉冲激光沉积技术,选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材,在非晶石英衬底上研究氧气流量对MgxZn1-xO合金薄膜生长取向的影响。结果表明:在低压、低氧气流量条件下薄膜的成核生长主要受控于晶面的表面能,薄膜为(200)晶向;在沉积压强8.0 Pa时,随着氧气流量的增加,反应粒子的能量降低,不同取向晶粒的生长速率发生变化,导致MgZnO薄膜的生长取向由(200)择优取向转变为(111)择优取向。当氧气流量过大(70 sccm)时,由于氧气分子迁移能的提高,MgZnO薄膜呈现多个不同生长取向。MgxZn1-x O films were deposited on amorphous SiO2 substrates by pulsed laser deposition method. The effects of oxygen flow on the growth orientation of MgxZn1-xO films were studied. The results indicates that at low air pressure and low flux of oxygen the nucleation and growth of MgZnO films is controlled by surface energy, MgZnO thin films is （200） oriented. But at 8 Pa air pressure condition, as the oxygen flow rate increasing, the growth velocity of different orientation grain changed, it leads to the preferred orientation of MgZnO film changed from （200） to （ 111 ）, finally, orientation of （200） and （ 111 ） exist together at 70 sccm oxygen flow.

关 键 词：ZNO MGZNO 脉冲激光沉积 氧气流量 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]