云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- MGZNO

MGZNO: 作品数：41被引量：65H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：申德振姚斌韩舜张吉英张振中更多>>; 相关机构：深圳大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院大学吉林大学更多>>; 相关期刊：《武汉理工大学学报》《金属功能材料》《Chinese Physics B》《物理化学学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目深圳市水务发展中长期战略研究项目更多>>

从单晶MgZnO到非晶Ga_(2)O_(3):深紫外光电探测器的发展和选择: 《发光学报》2025年第3期399-411,共13页梁会力朱锐杜小龙梅增霞; 国家自然科学基金(62174113,12174275,62404146);广东省基础与应用基础研究基金(2023A1515140094,2023A1515110730,2019B1515120057)。; 宽带隙半导体在研制无滤光片紧凑型日盲紫外探测器方面具有极大的发展潜力。本文结合本团队在分子束外延MgZnO单晶薄膜和磁控溅射非晶Ga_(2)O_(3)薄膜以及相应日盲紫外探测器的研究经验,综述了以MgZnO和非晶Ga_(2)O_(3)为代表的宽带隙...; 关键词：日盲紫外光电探测器镁锌氧氧化镓非晶

溅射功率对MgZnO薄膜晶体管性能的影响被引量：1: 《吉林建筑大学学报》2021年第1期79-83,共5页岳廷峰高晓红刘建文付钰孟冰; 本文通过射频磁控溅射的方法在Si衬底上制备了MgZnO薄膜晶体管,研究不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管电学和薄膜性能的影响,对制备的器件采用Keysight B 1500 A型号的半导体参数仪测试其电学性能,通过公式计算分析电学参数.利用原子力显微...; 关键词：MgZnO薄膜晶体管溅射功率 Mg掺杂量

B-N共掺杂p型MgZnO薄膜的制备与电学性能被引量：1: 《发光学报》2020年第10期1262-1268,共7页高丽丽王旭; 吉林省教育厅“十三五”科学技术研究项目(201649)资助; p型MgZnO的制备一直是高效紫外发光和日盲紫外探测器件研究领域的重要课题之一。本文针对N掺杂p型MgZnO薄膜材料中存在的空穴浓度低、电阻率高等科学问题,采取磁控溅射技术,利用氮气与氩气混合气体分别溅射MgZnO陶瓷靶和B-N共掺杂MgZnO...; 关键词：射频磁控溅射 MgZnO薄膜 B-N共掺杂 P型

Dispersion of exciton-polariton based on ZnO/MgZnO quantum wells at room temperature: 《Chinese Physics B》2020年第9期181-185,共5页Huying Zheng Zhiyang Chen Hai Zhu Ziying Tang Yaqi Wang Haiyuan Wei Chongxin Shan; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.11974433,91833301,and 11974122);the Guangdong Natural Science Fund for Distinguished Young Scholars,China(Grant No.2016A030306044);the Science and Technology Program of Guangzhou,China(Grant No.201707020014).; We report observation of dispersion for coupled exciton-polariton in a plate microcavity combining with ZnO/MgZnO multi-quantum well (QW) at room temperature. Benefited from the large exciton binding energy and giant ...; 关键词：quantum wells EXCITON POLARITON MICROCAVITY

退火处理对MgZnO薄膜性能的影响: 《电脑知识与技术》2020年第5期250-252,共3页吴昀卓高晓红秦大双曾一明张耕严刘建文岳廷峰; 大学生创新创业训练计划项目(201910191059)。; 采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了MgZnO薄膜,并将制备的薄膜在200℃、N2下进行退火处理。采用XRD表征薄膜的结晶情况,用AFM表征薄膜材料表明形貌,用EDS表征薄膜材料元素成分与含量,用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明,...; 关键词：MgZnO薄膜晶体管退火处理射频磁控溅射

MgZnO薄膜晶体管在紫外探测中的特性研究被引量：1: 《电脑知识与技术》2020年第6期252-254,共3页吴昀卓高晓红秦大双曾一明张耕严岳廷峰刘建文; 大学生创新创业训练计划项目(201910191059)。; 室温下通过磁控溅射的方式在热氧化SiO2的衬底上沉积MgZnO薄膜,研究Mg元素的少量掺杂对薄膜以及器件性能的影响,使用湿法刻蚀的方法制备了MSM结构的器件。器件开关比3.66×106,在入射波长为365nm、254nm的光照下响应度分别达到了3.16A/W...; 关键词：MgZnO薄膜晶体管 MgZnO薄膜 MSM结构响应度光暗电流比

MgZnO∶N薄膜中Mg对N掺杂热稳定性的影响被引量：1: 《电子元件与材料》2019年第9期61-65,共5页胡启昌阮凯斌王玉柱丁凯; 国家自然科学基金面上项目(61474121);福建省中青年教师教育科研项目(NJT180146);福建农林大学科技创新专项基金项目(CXZX2018032); N作为ZnO常见的受主杂质,其热稳定性是影响ZnO p型掺杂的关键因素。通过MOCVD法在石英衬底上生长MgZnO∶N薄膜,利用X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、拉曼光谱仪等手段表征薄膜的基本性质和N相对含量,...; 关键词：氧化锌 MOCVD 拉曼光谱掺杂退火热稳定性

Effects of Al Impurities on the Structural, Morphological, and Optical Properties of High Mg Content MgZnO Thin Films by Reactive Sputtering: 《Chinese Journal of Structural Chemistry》2017年第8期1271-1275,共5页张丹季旭吕佩文黄丰; financially supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61427901,61306065); Al impurities modulated hexagonal wurtzite MgZnO nanocrystalline（AlMgZnO） film with a band gap of 4.3 e V was deposited on the c-plane sapphire substrate via radio frequency sputtering. The high quality deep UV AlMg...; 关键词：MGZNO deep UV radio frequency sputtering

不同Mg掺杂位置对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响被引量：2: 《华中师范大学学报（自然科学版）》2016年第2期190-195,共6页毛彩霞黄海铭胡永红; 江苏省博士后基金资助项目(1302099C);湖北科技学院教学研究项目(2013-XA-012); 通过第一性原理计算,研究了替代位和间隙位Mg掺杂对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响.结果表明,替代位Mg掺杂导致ZnO带隙展宽,而间隙位Mg掺杂ZnO形成n型半导体.比较了纯ZnO和不同Mg掺杂位置MgZnO体系的分波和总电子态密度,并解释了...; 关键词：第一性原理计算电子结构态密度光学性质 MGZNO

High response Schottky ultraviolet photodetector formed by PEDOT:PSS transparent electrode contacts to Mg_(0.1)Zn_(0.9)O: 《Chinese Physics B》2015年第10期423-425,共3页胡佐富吴怀昊吕燕伍张希清; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.50972007);the National Basic Research Program of China(Grant No.2011CB932703);the National Natural Science Foundation for Distinguished Young Scholars of China(Grant No.60825407);the Opened Fund of the State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics; In this paper, we report a Schottky ultraviolet photodetector based on poly（3,4-ethylenedioxy-thiophene）poly（styrenesulfonate）（PEDOT：PSS） transparent electrode contacts to Mg0.1Zn0.9O. The I-V characteristic cu...; 关键词：Schottky junction ultraviolet photodetector MGZNO PEDOT：PSS

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