两步刻蚀多晶硅提高图形陡直度  

Improvement of Aspect Ratio by Two-Step Reaction Ion Etch on Polysilicon

作　　者：齐臣杰[1] 徐洪涛[1] 谭智敏[1] 钟艳 林宏[1] 刘理天[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子所,北京100084

出　　处：《半导体技术》2000年第5期13-16,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家"九五"科技攻关项目!97-760-03-02

摘　　要：微电子机械系统中关键工艺之一就是刻蚀出高深宽比的图形。本文对掺磷多晶硅反应离子刻蚀（RIE）进行了研究。采用两步刻蚀工艺，SF6，CF4，Cl2CF三种气体组合，从原来45度的各向同性刻蚀提高到73度以上的各向异性刻蚀。射频功率390瓦时，刻蚀速率每分钟200nm。对3．5微米厚的多晶硅，刻蚀时间在20分钟左右，基本上达到要求。One of a key process of the microelectromechanical system is to form high aspect ratio of pattern. Two step RIE process on polysilicon doped phosphorus by three type gases mixed, such as CF4,SF6,Cl2CF, are studied in the paper. The aspect ratio is improved from 45 degree to 73 degree,etch rate is 200nm per minute. It takes about 20 minutes for 3.5 μ m polysilicon doped phosphorus at 390W of RF power.

关 键 词：微电子机械系统 图形陡直度 多晶硅 两步刻馈 

分 类 号：TP271.4[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TN305.7[自动化与计算机技术—控制科学与工程]