C波段大栅宽GaAs MESFET的研制  

Development of Large Gatewidth GaAs MESFET in C Band

作　　者：李云[1] 李岚[1] 关富民 宋力波 高健 卜瑞艳[1] 丁奎章[1] 

机构地区：[1]电子十三所,石家庄050051

出　　处：《半导体情报》2000年第5期52-54,共3页Semiconductor Information

摘　　要：采用高质量的 MBE材料 ,成功地制作了单胞栅宽 2 0 mm的芯片。用栅与 n+凹槽自对准和辅助侧墙工艺制作了栅长 0 .45 μm的 Ti Pt Au栅 ,欧姆接触采用 Au Ge Ni合金工艺 ,采用 PECVD Si N钝化 ,空气桥结构及芯片减薄 Via-Hole工艺。经内匹配得到了单胞芯片 3.7～ 4.2 GHz下 Po≥ 7.3W,Gp≥ 8d B,ηadd>2 5 % ;4胞合成器件 Po≥ 2 5 W,Gp>7d B,ηadd>2 5 %的良好结果。The single cell 20mm gatewidth GaAs MESFET has been fabricated by using high quanlity MBE materials.A 0 45μm gate length TiPtAu with self align to n + recess formed by side wall technology,and AuGeNi ohmic contact,PECVD SiN passivation,air bridge and via hole technology was adopted.At 3 7～4 2GHz,the single cell internally matched FET: P o≥7 3W, G p≥8dB, η add >25%;the four cell internally matched FET: P o≥25W, G p>7dB, η add >25%.

关 键 词：MESFET C波段 砷化镓 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]