李云

作品数：1被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
发文主题：MESFETC波段砷化镓栅宽更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
C波段大栅宽GaAs MESFET的研制
《半导体情报》2000年第5期52-54,共3页李云 李岚 关富民 宋力波 高健 卜瑞艳 丁奎章 
采用高质量的 MBE材料 ,成功地制作了单胞栅宽 2 0 mm的芯片。用栅与 n+凹槽自对准和辅助侧墙工艺制作了栅长 0 .45 μm的 Ti Pt Au栅 ,欧姆接触采用 Au Ge Ni合金工艺 ,采用 PECVD Si N钝化 ,空气桥结构及芯片减薄 Via-Hole工艺。经内...
关键词：MESFET C波段 砷化镓 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部