半导体所在(Ga，Mn)As纳米线研究方面取得了新进展  

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《人工晶体学报》2013年第4期777-777,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究团队近年来在提高（Ga，Mn）As居里温度方面取得了一系列重要进展。最近赵建华研究员和博士生俞学哲等与美国佛罗里达州立大学熊鹏和StephanyonMolnar教授研究组合作，国际上率先采用Ga液滴自催化方法制备出全闪锌矿结构GaAs／（Ga，bin）As核．壳磁性纳米线。他们首先利用铂液滴自催化方法，通过三相线位移调控GaAs纳米线结构相变，

关 键 词：半导体超晶格 磁性纳米线 国家重点实验室 GAAS 催化方法 闪锌矿结构 居里温度 州立大学 

分 类 号：O471.4[理学—半导体物理]