一维半导体单量子方势垒中的电子输运  

作　　者：卢小琴[1] 

机构地区：[1]浙江海洋学院数理与信息学院,浙江舟山316000

出　　处：《科技视界》2013年第9期53-53,100,共2页Science & Technology Vision

摘　　要：我们研究了通过半导体单量子方势垒的电子输运,结果显示电子能穿透比它动能更高的势垒,发生了隧道效应;势垒的宽度和高度的增加对电子的透射几率有抑制作用;通过改变势垒的宽度和高度,可以实现对电子透射的调控。

关 键 词：半导体 势垒 透射率 

分 类 号：O413.1[理学—理论物理]