卢小琴

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一维半导体单量子方势垒中的电子输运
《科技视界》2013年第9期53-53,100,共2页卢小琴 
我们研究了通过半导体单量子方势垒的电子输运,结果显示电子能穿透比它动能更高的势垒,发生了隧道效应;势垒的宽度和高度的增加对电子的透射几率有抑制作用;通过改变势垒的宽度和高度,可以实现对电子透射的调控。
关键词:半导体 势垒 透射率 
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