硅外延及其应用  

Epitaxial Silicon and Its Application

作　　者：徐远志[1,2] 胡亮[2] 吴忠元[2] 

机构地区：[1]昆明冶研新材料股份有限公司,云南昆明650031 [2]昆明理工大学化学工程学院,云南昆明650500

出　　处：《云南冶金》2013年第3期46-50,共5页Yunnan Metallurgy

摘　　要：介绍了硅外延生长技术,综述了应用于硅外延的分子束外延(MBE)、化学气相沉积(CVD)、液相沉积(LPE)三种工艺,并介绍了Si基外延材料器件的应用。Silicon epitaxy growth technology is introduced, and three kinds of technologies applied to silicon epitaxy are summa- rized ： molecular beam epitaxy （ MBE）, chemical vapor deposition （CVD） , liquid deposition （ LPE）, and the application of Si base epitaxi- al material device is also introduced.

关 键 词：MBE CVD LPE 硅外延 应用 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]