行输出高反压晶体管的新工艺特性研究  

作　　者：刘胜利 

出　　处：《电视技术》1991年第12期40-45,共6页Video Engineering

摘　　要：(1)高反压晶体管的结构与特性高反压晶体管与普通低压晶体管的根本区别,在于组成其结构的材料具有特殊的电阻。为了让高反压晶体管获得1000V或更高的击穿电压,在其集电极(N^+)和基极(P)之间插入一个称为Ⅰ层的低密度杂质层,见图1。图2给出了高反压晶体管的标准输出特性V_(CE)-I_C。图中包括5个区域:(A)深饱和区,(B)准饱和区,(C)放大区。

关 键 词：高反压 晶体管 行输出 工艺 

分 类 号：TN323.8[电子电信—物理电子学]