中小功率晶体管芯片背面金属化的研制  

作　　者：宋海娟 常婷婷 郝晓波 

机构地区：[1]西安卫光科技有限公司,陕西西安710065

出　　处：《黑龙江科技信息》2013年第24期1-1,共1页Heilongjiang Science and Technology Information

摘　　要：在电子产品的生产过程中,中小功率的晶体管生产是一个非常重要的生产环节。芯片作为晶体管的核心组成部分,其能否在晶体管中正常使用是衡量晶体管生产质量的主要指标。这些晶体管芯片一般是以批量生产的方式单独生产,然后再通过集电极使其与晶体管安装在一起,最终制成晶体管成品。但问题是在制备集电极时,金属和半导体之间并不能直接实现较好的接触,出现了整流效应。为了能够更好的实现两者之间的接触,我们决定采用在芯片背面进行金属化的处理方法,来实现半导体与金属的良好接触。现本文就主要研究探讨了中小功率晶体管芯片背面金属化的研制。

关 键 词：中小功率 晶体管 芯片 背面 金属化 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]