100nm及其以下线宽的微(细)加工技术  

作　　者：刘文辉[1] 

机构地区：[1]麻省理工学院微电子技术研究所

出　　处：《电子工业专用设备》1991年第1期64-64,共1页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：随着微电子技术的发展,各种能产生出结构特征尺寸为0.1μm(100nm)及其以下线宽的微细加工技术被广泛研究,主要有x射线毫微米光刻技术、全息光刻技术、无色差全息光刻技术、电子束光刻技术、聚焦离子束光刻技术、反应离子蚀刻技术、电子淀积技术等。x射线毫微米光刻技术因其效率高、工艺能力强等特点对100nm及其以下线宽的光刻具有特殊的作用,它能达到和产生扫描电子束或聚焦离子束光刻单独使用所达不到的效果。为了消除图形的畸变,该技术目前研究成功一种用无机薄膜(Si、Si_3N_4和SiC)制作的新一代掩模版。为了实现适合50nm线宽光刻的多掩模多次对准,该技术设定了4μm的标准掩模间隙。

关 键 词：微细加工 光刻工艺 离子刻蚀 

分 类 号：TN405.982[电子电信—微电子学与固体电子学]