微波半导体器件及电路的应用概况(续一)  

作　　者：莫火石[1] 盛柏桢[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第55所,南京210016

出　　处：《电子元器件应用》2000年第11期6-12,共7页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：4.2 异质结双极晶体管(HBT) 异质结双极晶体管的结构特点是具有宽带隙的发射区,大大提高了发射结的载流子注入效率。HBT的功率密度高,相位噪声低,线性度好,单电源工作,虽然高频工作性能稍逊于PHEMT。

关 键 词：半导体器件 微波器件 异质结双极晶体管 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学] TN6