多倍频程GaN分布式功率放大器的设计与实现  

Design and Realization of a Multi Octave GaN Distributed Power Amplifier

作　　者：谢晓峰[1,2] 肖仕伟[3] 沈川[1] 吴尚昀[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,绵阳621900 [2]中国工程物理研究院研究生部,北京100084 [3]中国工程物理研究院高新技术装备发展中心,北京100086

出　　处：《微波学报》2013年第4期74-77,共4页Journal of Microwaves

摘　　要：分布式放大器结构是一种能够实现极宽带宽的放大电路结构。不过由于晶体管自身功率密度的限制,分布式放大器大多用于小信号放大器的设计中。第3代宽禁带半导体GaN具有击穿场强高、输出功率密度大的优点,随着GaN晶体管的发展成熟,将其应用于分布式放大器结构中能够实现宽带功率放大器。本文采用4个GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)分立器件进行分布式功率放大器设计,并以混合集成电路工艺加工,实现了0.3～2.5GHz的多倍频程宽带功率放大器。最终得到的测量结果显示,功率放大器在0.3～2.5GHz的频带内,饱和输出功率大于39dBm,线性增益大于8dB,最大PAE大于15%。Distributed amplifier is an amplification structure which can realize ultra-broadband amplification. Howev- er, due to the output power density of transistors, distributed amplifier was found application mostly in small signal amplifica- tion. The third generation wide band gap semiconductor CaN present itself with the characteristics of high breakdown vohage and high output power density. By applying GaN technology to distributed amplifier, a wideband power amplifier can be dem- onstrated. We design a 0.3 - 2.5GHz multi octave distributed power amplifier with four GaN HEMTs（ High Electron Mobility Transistor） and realize it with HMC（ Hybrid Monolithic Circuit） technology. The measure result shows that the saturated out- put power is above 39dBm and PAE is larger than 15% in the 0.3 -2.5GHz bandwidth with a linear above 8dB.

关 键 词：GAN 分布式放大器 宽带 功率放大器 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]