氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质  

OPTICAL EFFECTS AND MICROSTRUCTURE OF BURIED INSULATION LAYER FORMED BY O^+ AND N^+ CO-IMPLANTATION

作　　者：俞跃辉[1] 林成鲁[1] 朱文化[1] 邹世昌[1] 卢江[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室 [2]中国科学技术大学结构分析开放研究实验室

出　　处：《电子科学学刊》1991年第5期489-495,共7页

摘　　要：本文利用俄歇能谱和红外吸收谱研究了硅中O^+(200keV,1.8×10^(18)/cm^2)和N^+(180keV,4×10^(17)/cm^2)共注入、并经1200℃、2h退火后所形成的绝缘埋层的微观结构及其光学性质。结果表明:O^+和N^+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO_2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异。通过对波数范围在5000—1700cm^(-1)的红外反射谱的计算机模拟,得到了该绝缘埋层的折射率、厚度等有关的参数值,这些结果与离子背散射谱的分析结果相一致。本文还讨论了绝缘埋层的形成特征。The microstructure and optical properties of a buried layer formed by O + (200keV, 1.8×1018/cm2) and NT+ (180keV, 4×10~17/cm2) co-implantation and annealed at 1200 ℃ for 2h have been investigated by Auger electron, IR absorption and reflection spectroscopic measurements. The results show that the buried layer consists of silicon dioxide and SiO2 (x<2) and the nitrogen segregates to the wings of the buried layer where it forms an oxyni-tride. By detail theoretical analysis and computer simulation of the IR reflection interference spectrum, refractive index profiles of the buried layer were obtained.

关 键 词：离子注入 绝缘埋层 微观结构 光学 

分 类 号：TN405.3[电子电信—微电子学与固体电子学]