绝缘埋层

作品数：4被引量：4H指数：2
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多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第2期189-193,共5页谢欣云 刘卫丽 门传玲 林青 沈勤我 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费 (No.G2 0 0 0 0 3 65 );国家自然科学基金 (批准号 :699760 3 4)资助项目 ~~
为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
关键词：绝缘埋层 氮化硅薄膜 SOI结构 多孔硅外延转移 
制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料被引量：2
《功能材料与器件学报》2002年第4期331-334,共4页门传玲 徐政 安正华 张苗 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费G20000365;国家自然科学基金(No.69976034;No.90101012)
采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙...
关键词：制备 绝缘埋层 ALN薄膜 键合 SOI 离子束增强沉积 氮化铝 
氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质
《电子科学学刊》1991年第5期489-495,共7页俞跃辉 林成鲁 朱文化 邹世昌 卢江 
本文利用俄歇能谱和红外吸收谱研究了硅中O^+(200keV,1.8×10^(18)/cm^2)和N^+(180keV,4×10^(17)/cm^2)共注入、并经1200℃、2h退火后所形成的绝缘埋层的微观结构及其光学性质。结果表明:O^+和N^+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO_2相和...
关键词：离子注入 绝缘埋层 微观结构 光学 
离子注入硅形成绝缘埋层的红外反射谱分析
《Journal of Semiconductors》1990年第4期262-269,共8页方子韦 俞跃辉 林成鲁 邹世昌 
高剂量、大束流的O^+或N^+注入硅中经高温退火后能形成质量很好的SOI(Silicon onInsulater)材料。在波数范围为5000—1500cm^(-1)的红外波段内,硅及SiO_2或Si_3N_4绝缘埋层对红外光均无吸收。采用计算机模拟不同处理条件下的样品在该波...
关键词：离子注入 硅 红外反射谱 绝缘埋层 
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