多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构  

Fabrication of Silicon-on-Insulator Structure with Si_3N_4 as Buried Insulating Films by Epitaxial Layer Transfer

作　　者：谢欣云[1] 刘卫丽[1] 门传玲[1] 林青[1] 沈勤我[1] 林成鲁[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第2期189-193,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究专项经费 (No.G2 0 0 0 0 3 65 );国家自然科学基金 (批准号 :699760 3 4)资助项目 ~~

摘　　要：为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .The single crystalline Si/Si 3N 4/substrate Si structures are successfully formed using electron beam evaporation of silicon on porous silicon and epitaxial layer transfer.The SOI structures are investigated by high resolution cross sectional transmission electron microscopy (XTEM) and spreading resistance profile (SRP). Experimental results show the buried Si 3N 4 layer is amorphous structure and the new SOI sample has good structural and electrical properties.

关 键 词：绝缘埋层 氮化硅薄膜 SOI结构 多孔硅外延转移 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]