宽带3—5μm量子阱红外探测器的研制  

Development of Broadband 3-5μm Quantum Well Infrared Photodetectors

作　　者：李宏伟[1] 李卫[1] 黄绮[1] 周均铭[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第12期1220-1223,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用分子束外延方法在 Ga As衬底上生长了 n型掺杂的应变 In Ga As/Al Ga As多量子阱结构 ,制作成 3— 5μm波段的量子阱红外探测器 ,响应峰值波长 λp=4.2 μm,响应带宽可达 Δλ/λ=50 % ,50 0 K黑体探测率 D*BB(50 0 ,1 0 0 0 ,1 )达 1 .7× 1 0 10 cm.Hz1/2 /W.Broadband 3—5μm quantum well infrared photodetectors have been successfully grown by molecular beam epitaxy.High-quality strained InGaAs/AlGaAs multi-qua ntum wells with Si doping were acquired on GaAs substrate.The peak response λ p is of 4.2μm and the response bandwidth Δλ/λ to be 50%.The 50 0K black body detectivity D* BB(500,1000,1) of the detector can reach 1.7×10 10cm·Hz 1/2/W.

关 键 词：量子阱红外探测器 探测率 INGAAS/ALGAAS 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]