INGAAS/ALGAAS

作品数：26被引量：38H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：陈国鹰陈效建刘素平林楠马骁宇更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院大学河北工业大学南京电子器件研究所更多>>
相关期刊：《Chinese Physics Letters》《激光与光电子学进展》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划河北省自然科学基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
多变量Si杂质诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂研究被引量：2
《中国光学（中英文）》2023年第6期1512-1523,共12页刘翠翠 林楠 马骁宇 张月明 刘素平 
广东省重点领域研发计划项目(No.2020B090922003);中核集团"青年英才"科研项目(No.11FY212306000801)。
腔面光学灾变损伤是导致高功率量子阱半导体激光器阈值输出功率受限制的关键因素。通过量子阱混杂技术调整半导体激光器腔面局部区域处有源区材料的带隙宽度,形成对输出光透明的非吸收窗口,可提高激光器输出功率。本文基于InGaAs/AlGaA...
关键词：半导体激光器 量子阱混杂 快速热退火 波长蓝移 光致发光谱 
GaAs插入层对InGaAs/AlGaAs量子阱发光性质的影响被引量：1
《发光学报》2023年第11期1967-1973,共7页于海鑫 王海珠 郎天宇 吕明辉 徐睿良 范杰 邹永刚 
吉林省科技发展计划(20210201089GX);吉林省教育厅科学技术研究项目(JJKH20220769KJ);重庆市自然科学基金项目(cstc2021jcyj-msxmX1060)。
InGaAs/AlGaAs多量子阱(MQWs)作为一种常见的Ⅲ-Ⅴ族外延材料,通常应用于半导体激光器和太阳能电池等领域。然而,由于量子阱的势阱层和势垒层生长温度不同,铟原子的偏析和多量子阱生长质量较差等问题尚未得到很好的解决。本文设计了一...
关键词：InGaAs/AlGaAs多量子阱 局域态 插入层 金属有机化合物气相外延(MOCVD) 
Atomic-scale insights of indium segregation and its suppression by GaAs insertion layer in InGaAs/AlGaAs multiple quantum wells被引量：2
《Chinese Physics B》2023年第3期544-548,共5页马淑芳 李磊 孔庆波 徐阳 刘青明 张帅 张西数 韩斌 仇伯仓 许并社 郝晓东 
X.H.gratefully acknowledges the financial support from the National Natural Science Foundation of China(Grant No.21902096);the Scientific Research Foundation of Shaanxi University of Science and Technology(Grant No.126061803);S.M.and B.X.thank the National Natural Science Foundation of China(Grant No.21972103);the Shanxi Provincial Key Innovative Research Team in Science and Technology(Grant No.201703D111026).
The In segregation and its suppression in InGaAs/AlGaAs quantum well are investigated by using high-resolution x-ray diffraction(XRD)and photoluminescence(PL),combined with the state-of-the-art aberration corrected sc...
关键词：InGaAs/AlGaAs quantum well GaAs insertion layer In segregation scanning transmission electron microscopy 
Si杂质扩散诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的研究（英文）被引量：11
《中国光学》2020年第1期203-216,共14页刘翠翠 林楠 熊聪 曼玉选 赵碧瑶 刘素平 马骁宇 
半导体激光器军民两用基金预研项目(No.41414010302)~~
光学灾变损伤(COD)常发生于量子阱半导体激光器的前腔面处,极大地影响了激光器的出光功率及寿命。通过杂质诱导量子阱混杂技术使腔面区波长蓝移来制备非吸收窗口是抑制腔面COD的有效手段,也是一种高效率、低成本方法。本文选择了Si杂质...
关键词：量子阱半导体激光器 光学灾变损伤 量子阱混杂 蓝移 
Spin Transport under In-plane Electric Fields with Different Orientations in Undoped InGaAs/AlGaAs Multiple Quantum Wells
《Chinese Physics Letters》2019年第7期82-85,共4页Xiao-di Xue Yu Liu Lai-pan Zhu Wei Huang Yang Zhang Xiao-lin Zeng Jing Wu Bo Xu Zhan-guo Wang Yong-hai Chen Wei-feng Zhang 
Supported by the National Basic Research Program of China under Grant No 2015CB921503;the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 61474114,11574302,61627822 and 11704032;the National Key Research and Development Program of China under Grant Nos 2018YFA0209103,2016YFB0402303 and 2016YFB0400101
The spin-polarized photocurrent is used to study the in-plane electric field dependent spin transport in undoped InGaAs/AlGaAs multiple quantum wells. In the temperature range of 77–297 K, the spin-polarized photocur...
关键词：The SPIN-POLARIZED PHOTOCURRENT dependent SPIN transport applications and devices 
As元素分子态对InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器性能的影响被引量：1
《半导体光电》2018年第5期607-611,653,共6页方俊 孙令 刘洁 
对As_2和As_4两种不同分子态下利用分子束外延技术(MBE)生长的单层AlGaAs薄膜和GaAs基InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(QWIP)的性能进行了研究,发现As2条件下生长的单层AlGaAs材料荧光强度更大、深能级缺陷密度更低;相对于As4较为复杂的...
关键词：分子束外延 InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器 As元素分子态 暗电流 
InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器中势垒生长温度的研究被引量：3
《物理学报》2017年第6期334-340,共7页霍大云 石震武 张伟 唐沈立 彭长四 
国家自然科学基金(批准号:11504251);江苏高校优势学科建设工程;科技部国际合作项目(批准号:2013DFG12210);江苏省高校自然科学研究重大项目(批准号:12 KJA140001);江苏省普通高校研究生科研创新计划(批准号:KYLX15_1252)资助的课题~~
InGaAs/AlGaAs量子阱是中波量子阱红外探测器件最常用的材料体系,本文以结构为2.4 nm In_(0.35)Ga_(0.65)As/40 nm Al_(0.34)Ga_(0.66)As的多量子阱材料为研究对象,利用分子束外延生长,固定InGaAs势阱的生长温度(465°C),然后依次升高...
关键词：中波红外探测 量子阱红外探测器件 InGaAs/AlGaAs多量子阱 温致弛豫 
Graded doping low internal loss 1060-nm InGaAs/AlGaAs quantum well semiconductor lasers被引量：2
《Chinese Physics B》2015年第6期374-377,共4页谭少阳 翟腾 张瑞康 陆丹 王圩 吉晨 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61274046,61335009,61201103,and 61320106013);the National High Technology Research and Development Program of China(Grant No.2013AA014202)
Internal loss is a key internal parameter for high power 1060-nm InGaAs/A1GaAs semiconductor laser. In this paper, we discuss the origin of internal loss of 1060-nm InGaAs/GaAs quantum welt （QW） AIGaAs separate conf...
关键词：internal loss free carrier absorption semiconductor laser 
基于循环退火技术的InGaAs/AlGaAs量子阱混杂被引量：4
《光电子．激光》2014年第8期1471-1475,共5页林盛杰 李建军 何林杰 邓军 韩军 
北京工业大学先进技术基金(002000514312003);北京市教委创新能力提升计划(PXM20134_014204_000029)资助项目
为了解决由于激光器腔面处的光吸收引起的腔面光学灾变损伤(COD),采用无杂质空位扩散(IFVD)法,研究了由SiO2电介质层诱导的InGaAs/AlGaAs量子阱结构的带隙蓝移。使用等离子化学气相沉积(PECVD)在InGaAs/AlGaAs量子阱的表面生长SiO2电介...
关键词：半导体激光器 无杂质空位扩散(IFVD) INGAAS ALGAAS 量子阱混杂(QWI) 腔面光学灾变损伤(COD) 无吸收窗口(NAW) 
Study on the Luminescence Properties of the Strain Compensated Quantum Well
《Journal of Computer and Communications》2013年第7期40-45,共6页Tao Liu Jianjun Li Jiachun Li Jun Han Jun Deng Linjie He Shengjie Lin 
Compared with the conventional strained quantum well, the InGaAs/GaAsP strain compensated quantum well (SCQW) has better optical properties, as the well layer and the barrier layer lattice mismatch with each other whi...
关键词：INGAAS/ALGAAS InGaAs/GaAsP STRAIN Compensated Quantum Well MOCVD 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部