云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 林盛杰

林盛杰: 作品数：1被引量：4H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：北京工业大学更多>>; 发文主题：量子阱混杂INGAAS/ALGAASALGAAS空位扩散腔面更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《光电子．激光》更多>>

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基于循环退火技术的InGaAs/AlGaAs量子阱混杂被引量：4: 《光电子．激光》2014年第8期1471-1475,共5页林盛杰李建军何林杰邓军韩军; 北京工业大学先进技术基金(002000514312003);北京市教委创新能力提升计划(PXM20134_014204_000029)资助项目; 为了解决由于激光器腔面处的光吸收引起的腔面光学灾变损伤(COD),采用无杂质空位扩散(IFVD)法,研究了由SiO2电介质层诱导的InGaAs/AlGaAs量子阱结构的带隙蓝移。使用等离子化学气相沉积(PECVD)在InGaAs/AlGaAs量子阱的表面生长SiO2电介...; 关键词：半导体激光器无杂质空位扩散(IFVD) INGAAS ALGAAS 量子阱混杂(QWI) 腔面光学灾变损伤(COD) 无吸收窗口(NAW)