GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器  

GaAlAs/GaAs Single Quantum Well Array Semiconductor Lasers

作　　者：曲轶[1] 高欣[2] 张宝顺 薄报学 张兴德 石家纬[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子工程系,长春130023 [2]长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022

出　　处：《中国激光》2000年第12期1072-1074,共3页Chinese Journal of Lasers

摘　　要：分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出 Ga Al As/Ga As梯度折射率分别限制单量子阱材料 ( GRIN- SCH- SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到 10 W(室温 ,连续 ) ,峰值波长为 80 6～ 80In this paper, the factors influencing the ultimate output power of laser diodes are analyzed. The GaAlAs/GaAs material with gradient refraction index, separate confinement single quantum well structure has been grown by MBE. The CW output power of the array diode laser is 10 W. The peak wavelength is 806～809 nm.

关 键 词：分子束外延 量子阱列阵 半导体激光器 GAALAS 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]