半导体表面气体分子吸附机理的光伏研究  

STUDY ON THE ADSORPTION MECHANISM OF GASEOUS MOLECULES ON SURFACE OF SEMICONDUCTOR BY PHOTOVOLTAIC METHOD

作　　者：颜永美[1] 孙宜阳[1] 丁小勇[1] 陈议明[1] 

机构地区：[1]厦门大学物理系,厦门361005

出　　处：《物理学报》2000年第12期2448-2454,共7页Acta Physica Sinica

摘　　要：通过对 p型和n型的同一硅单晶样品分别置于大气、氧气、氮气的不同氛围中所进行的各有关表面参量的光伏测算 ,分析了同一样品处于不同氛围中 ,以及不同导电类型的样品处于同一氛围中的测算结果的变化规律 ,探讨了出现这一规律的内在机理 ,解释了各有关的物理现象 .The relative surface parameters were determined by photovoltaic method in p and n type silicon in a wafer under the atmospheric, oxygenic, and nitric environments, respectively. The inherent mechanism is approached according to the parameter variations, and the relative physical phenomena are explained.

关 键 词：半导体表面 气体分子 吸附机理 光伏方法 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]