颜永美

作品数：13被引量：7H指数：1
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供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文主题：光伏表面性质二氧化锡硅单晶更多>>
发文领域：理学电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《物理学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金更多>>
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光伏法研究硅单晶表面态真空敏感机理
《Journal of Semiconductors》2002年第1期21-25,共5页颜永美 孙宜阳 丁小勇 周海文 
根据光伏方法研究的半导体表面气体分子吸附机理 ,提出了硅单晶表面态真空敏感效应的机理模型 ,解释了表面态敏感型的真空传感器的各有关观测结果 .因此可以确认 ,硅单晶表面态对真空敏感的实质原因就是由于构成大气主要成份的氮气和氧...
关键词：半导体表面态 真空敏感机理 光伏方法 硅单晶 
p-Si单晶低表面复合速度的获得
《厦门大学学报（自然科学版）》2001年第5期1045-1050,共6页颜永美 
提出减低 p- Si单晶表面复合速度参数值的两个行而有效的方法 ,解释了其不同的作用机理 .实验表明 ,经 HF腐蚀处理过的 p- Si单晶 ,自然晾干的表面复合速度测算值比红外灯烘干的测算值低 1个量级以上 ;而对于同一 p- Si单晶 ,置于氮气...
关键词：p-Si单晶 低表面复合速度 半导体 表面性质 电学性能 氟化氢腐蚀 
应用光伏方法估算硅单晶表面态俘获截面
《厦门大学学报（自然科学版）》2001年第4期873-877,共5页丁小勇 颜永美 
提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon和σ-p 的新方法 .此法基于变温光伏测量 ,采用 (111) p型硅单晶 (NA =1.5× 10 16cm-3 )为实验样品 .由于表面势垒高度ΦBP =0 .5 75 6 V,表面复合速度 sn =4 .8× 10 3 cm ....
关键词：光伏方法 硅单晶 表面态俘获截面 半导体 估算 
半导体材料特性和参数研究被引量：1
《厦门大学学报（自然科学版）》2001年第2期251-258,共8页沈顗华 朱文章 吴正云 吴孙桃 张声豪 陈朝 颜永美 周海文 陈议明 刘士毅 
国家自然科学基金资助项目!(技准 36 1号 ;6 86 6 0 52 ;59172 10 1) ;教育部科研资助项目 ;福建省自然科学基金资助项目!(F950 0
提出超晶格 (Al As/ Ga As)和应变超晶格 (Gex Si1-x/ Si,Inx Ga1-x As/ Ga As)光伏效应的机理 ,测量了不同温度下的光伏谱 ,光伏曲线反映了台阶二维状态密度分布并观察到跃迁峰 .计算了导带和价带子带的位置和带宽 ,根据宇称守恒确定...
关键词：光伏效应 超晶格 半导体材料 多孔硅 气体吸附 应变超晶格 光伏谱 电学性质 二氧化锡 
半导体表面气体分子吸附机理的光伏研究被引量：1
《物理学报》2000年第12期2448-2454,共7页颜永美 孙宜阳 丁小勇 陈议明 
通过对 p型和n型的同一硅单晶样品分别置于大气、氧气、氮气的不同氛围中所进行的各有关表面参量的光伏测算 ,分析了同一样品处于不同氛围中 ,以及不同导电类型的样品处于同一氛围中的测算结果的变化规律 ,探讨了出现这一规律的内在机...
关键词：半导体表面 气体分子 吸附机理 光伏方法 
掺金N型硅中静态电荷转移机制的统计研究
《固体电子学研究与进展》1999年第2期226-230,共5页颜永美 
应用统计方法，研究了掺金Ｎ型硅中各杂质能级上的电荷密度及载流子浓度随温度的变化，探讨了系统的静态电荷转移机制，所得结果支持了硅中金受主能级与施主能级本属同一金杂质的两个能级的认识。
关键词：掺金 电荷转移机制 统计方法 硅 掺杂 
N型GaAs单晶表面复合速度的宽谱光伏测算
《厦门大学学报（自然科学版）》1997年第6期856-860,共5页颜永美 
福建省自然科学基金
提出适用于可见光全波段的光伏测算ＧａＡｓ单晶表面复合速度的新方法．实验结果表明，对于掺Ｓｉ的Ｎ型弱简并ＧａＡｓ单晶（ｎ０＝２．０×１０１７ｃｍ－３），其表面复合速度Ｓｐ＝１．６×１０５ｃｍ·ｓ－１，与有关报道基本一致．
关键词：单晶 表面复合速度 砷化镓 光伏测算 表面性质 
X衍射法分析CVD制备SnO_2多晶膜的构成及其对气敏特性的影响被引量：2
《固体电子学研究与进展》1995年第2期185-189,共5页颜永美 沈华 蔡玉霜 
国家与福建省自然科学基金
通过Ｘ光衍射图分析，确认了较低温度下ＣＶＤ法生长的非掺杂ＳｎＯ２晶膜含有较多的偏离ＳｎＯ２配位的晶体成份，从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。
关键词：X光衍射法 晶膜构成 气体敏感度 二氧化锡 CVD法 
N型低阻GaAs单晶的表面势垒高度和表面态密度的变温光伏测定研究被引量：1
《半导体技术》1992年第3期62-64,共3页颜永美 杨锦赐 
本文报导了应用变温光伏方法无需制作特定样品结构而可以非破坏性地测定N型低阻GaAs单晶的表面势垒高度和表面态密度的研究。结合简并化影响的考虑,所得结果与有关报导一致。
关键词：GAAS晶体 表面势垒 变温 光伏测定 
p型Si单晶表面态真空效应的光伏测定
《固体电子学研究与进展》1992年第1期30-33,共4页颜永美 
国家自然科学基金资助课题
本文报导了采用变温光伏方法对不同真空度下的p型硅单晶的表面态参数进行非破坏性的测算。发现在不同真空度下,其表面能级E_S(或表面势垒高度ψ_BP)和单位能量间隔的表面态密度D_S等参数以及常温温区下的光伏值可有明显的差异。
关键词：真空效应 p型硅单晶 光伏方法 测定 
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